Samsung dezvăluie memoria de 8 GB pe 10 nm destinată telefoanelor mobile

Memoria RAM a telefoanelor mobile în acest moment, se oprește undeva la 4 GB în cazul dispozitivelor de top, însă cei de la Samsung au de gând să o dubleze destul de curând, prin intermediul unui cip capabil să livreze dublă cantitate FĂRĂ consum suplimentar de energie.

Modulul 8GB LPDDR4 DRAM a fost dezvălui săptămâna aceasta și folosește o tehnologie nouă, de 10 nanometri. Pentru a obține acest lucru, acest proces cip un silicon extrem de pur ce există în acest moment în fabricație doar în incintele Samsung.

După cum spuneam mai devreme, datorită acestei tehnologii de fabricație pe 10 nm, se obține un consum de resurse mult mai bun dublând capacitatea memorie, astăzi folosindu-se cipuri de 4 GB pe tehnologie de 20 nm. Noul cip de 8 GB operează la o viteză de 4266 Mbps, de două ori mai rapid decât ramii pe care-i avem noi în ziua de azi în calculatoare.

În timp ce noul cip corespunde dimensiunilor lumii smartphone, este foarte posibil să îl întâlnim și în tablete. Multe tablete au deja cipuri de 8 GB RAM , însă de data aceasta vor primi și un boost de performanță.

„Acest cip de 8 GB RAM reprezintă o soluție care va permite un avans tehnologic mult mai rapid în viitor și nu doar pentru flagship-urile cu care ne-am obișnuit până acum” spune VP Samsung, Joo Sun Choi. Samsung a mai anunțat într-o conferință de presă faptul că folosește deja această tehnologie pe 10 nanometri pentru a fabrica SoC (system on a chip). Cel mai probabil von vedea acest cip în dispozitivele care se vor lansa anul ce vine, eventual în Samsung Galaxy S8 și va deveni foarte răspândit la finalul anului 2017.

 

Articole Asemănătoare

Leave a Reply

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.